English
中文
近日，业内盛传英伟达（NVIDIA）正在考虑将全新的拥有诸多优势的 CoWoP(Chip-on-Wafer-on-Platform PCB)作为其下一个封装解决方案，可能将会率先导入其下一代 Rubin GPU 使用。不过，摩根士丹利的一份报告称， 虽然英伟达可能正在开发CoWoP技术，但短期内不太可能大规模应用。摩根士丹利最新报告显示，2026年全球CoWoS晶圆总需求将达100万片，其中英伟达独占59.5万片（占比60%），台积电承接其51万片订单，用于Rubin架构AI芯片的CoWoS-L封装；剩余8万片由Amkor、日月光等外包封测厂家分担。
CoWoS技术是什么？
CoWoS全称是Chip on Wafer on Substrate，是一种半导体封装技术，中文可译为“芯片-晶圆-基板”或“基板上晶圆芯片”，即芯片集成到晶圆，再将其封装到ABF载板上，最后连接到PCB上。
CoWoS技术是什么？
CoWoP全称Chip on Wafer on Platform PCB,是芯片→晶圆→直连PCB，省掉封装基板环节，相当于芯片直接跳过封装基板，直接与PCB相连。
CoWoP核心逻辑：干掉封装基板，让芯片直接与PCB相连，简单讲CoWoP = CoWoS - 封装基板。
CoWoP（Chip on Wafer on PCB）作为一项颠覆性封装技术，正驱动PCB产业链重构与价值升级，以下具体阐述其核心趋势及影响。
一、技术本质与核心突破
1. 结构革新
取消ABF载板：将芯片通过硅中介层直接键合至多层PCB，实现“PCB载板化”，减少信号中转损耗30%以上，提升散热效率15-20%。
性能跃升：信号路径缩短25%，电压调节器靠近GPU优化电源完整性，裸晶直触PCB提升热传导效率。
成本重构：省去ABF载板（占封装成本30%-50%）和BGA焊接步骤，但PCB因承载芯片级互连功能，价值量提升2-3倍（从普通PCB的3-4万元/㎡升至10-12万元/㎡）。
2. 量产瓶颈突破
工艺核心：依赖MSAP（改良半加成法）实现微米级线路精度（线宽≤20μm），需载体铜箔）和Low-CTE材料（热膨胀系数<5ppm）。
材料升级：①铜箔：2-3μm载体铜的加工费 200元/公斤（毛利率超60%），全球仅日本三井、卢森堡铜箔掌握量产技术；②玻纤布：Low-CTE玻璃布和石英纤维布（Q-布）需求激增。
二、产业化进程与关键节点
1. 技术落地时间表
2025下半年：英伟达Rubin Ultra芯片或率先采用CoWoP，正交背板技术加速NVL576/288机柜部署。
2026-2027年：3.2T光模块、AI服务器放量，推动CoWoP渗透率达30%。
2. 供应链调整
国产替代加速：海外厂商扩产受限，国内头部PCB厂商积极扩产HDI/mSAP产能，抢占GB200/300系列市场份额。
客户验证突破：高端PCB厂商已向Meta、谷歌送样ASIC PCB。
三、市场前景与规模测算
1. 增量市场空间
ABF替代：2024年ABF市场规模60亿美元，若CoWoP渗透率30%，新增PCB市场超18亿美元。
高阶PCB需求：2027年AI服务器、光模块、华为服务器驱动总需求超180万㎡（对应1800亿元），其中：英伟达2万机柜需30万㎡高阶PCB，3.2T光模块年需100万㎡。
2. 材料爆发点
铜箔：载体铜箔2027年需求预计超3万吨。
玻璃布：7阶HDI需14张/㎡（传统5阶的14倍），2027年需求1000万㎡。
四、风险与挑战
1. 技术不确定性：MSAP良率提升。
2. 竞争加剧：台积电推进CoWoS-L技术反制，封装路线博弈持续。
3. 地缘政治：高端材料（如Low-Dk树脂）进口依赖度超80%，供应链安全存忧。
五、总结
CoWoP通过“取消载板+PCB功能升级”重构封装模式，总体来看，CoWoP仍处于技术探索的阶段，尽管短期内不太可能大规模应用，但其技术优势明显，未来成为主流的可能性极大，CoWoP的探索标志着半导体行业从 “制程驱动” 向 “系统集成驱动” 的转型，其成功与否将深刻影响未来AI芯片的性能天花板和产业竞争格局。
在技术（MSAP工艺）、材料（Low-CTE布/铜箔）、产能三重突破下，国内市场份额提升的确定性极高， 花园新能源聚焦于铜箔材料的进口替代，目前18+3与18+5载体铜箔已实现稳定量产，未来将持续开发18+2，18+1载体铜箔，以助力CoWoP技术的发展。
